SI7212DN-T1-GE3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SI7212DN-T1-GE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SI7212DN-T1-GE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 30V 4.9A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual

ສິນຄ້າ:

19258 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12912216
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SI7212DN-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 N-Channel (Dual)
ລັກສະນະ FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
ພະລັງ - Max
1.3W
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® 1212-8 Dual
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® 1212-8 Dual
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI7212

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SI7212DN-T1-GE3TR
SI7212DN-T1-GE3CT
SI7212DNT1GE3
SI7212DN-T1-GE3DKR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SI1912EDH-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6

vishay-siliconix

SI4936CDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC

vishay-siliconix

SI6969BDQ-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP

vishay-siliconix

SI1553DL-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 0.66A SC70-6