SI7113DN-T1-E3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SI7113DN-T1-E3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SI7113DN-T1-E3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 100 V 13.2A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

ສິນຄ້າ:

18149 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12915117
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SI7113DN-T1-E3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
13.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
134mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1480 pF @ 50 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-50°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® 1212-8
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® 1212-8
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI7113

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
Si7113DN
ບັນທຶກ HTML
SI7113DN-T1-E3-DG
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
SI7113DN-T1-E3

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SI7113DN-T1-E3TR
SI7113DNT1E3
SI7113DN-T1-E3CT
SI7113DN-T1-E3DKR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SI3456DDV-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP

vishay-siliconix

IRFR9120

MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK

vishay-siliconix

SI7888DP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI7149DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8