ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI6562CDQ-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI6562CDQ-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP
ສິນຄ້າ:
10653 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12913948
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI6562CDQ-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
N and P-Channel
ລັກສະນະ FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
6.7A, 6.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
850pF @ 10V
ພະລັງ - Max
1.6W, 1.7W
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-TSSOP
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI6562
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SI6562CDQT1GE3
SI6562CDQ-T1-GE3CT
SI6562CDQ-T1-GE3DKR
SI6562CDQ-T1-GE3TR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI1903DL-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
SI4944DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8SOIC
SI5504DC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8