ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI6473DQ-T1-E3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI6473DQ-T1-E3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 20 V 6.2A (Ta) 1.08W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
ສິນຄ້າ:
12919530
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI6473DQ-T1-E3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±8V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.08W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-TSSOP
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI6473
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI4845DY-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.7A 8SO
SI7455DP-T1-E3
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
SIHH27N60EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A PPAK 8 X 8
