ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI5933CDC-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI5933CDC-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 20V 3.7A 2.8W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
ສິນຄ້າ:
12916036
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI5933CDC-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 P-Channel (Dual)
ລັກສະນະ FET
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
144mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.8nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
276pF @ 10V
ພະລັງ - Max
2.8W
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SMD, Flat Lead
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
1206-8 ChipFET™
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI5933
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SI5933CDC-T1-GE3TR
SI5933CDC-T1-GE3DKR
SI5933CDC-T1-GE3CT
SI5933CDCT1GE3
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SI5935CDC-T1-GE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
11398
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SI5935CDC-T1-GE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.15
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI1972DH-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
SI4973DY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
SI6926ADQ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
