ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI5504DC-T1-E3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI5504DC-T1-E3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 30V 2.9A, 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
ສິນຄ້າ:
12913710
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI5504DC-T1-E3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
N and P-Channel
ລັກສະນະ FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
ພະລັງ - Max
1.1W
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SMD, Flat Lead
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
1206-8 ChipFET™
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI5504
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SI5504DC-T1-E3TR
SI5504DC-T1-E3CT
SI5504DCT1E3
SI5504DC-T1-E3DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SI5504BDC-T1-GE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
41930
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SI5504BDC-T1-GE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.34
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI6968BEDQ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
FMK75-01F
MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC
SI1958DH-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
