SI5402BDC-T1-E3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SI5402BDC-T1-E3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SI5402BDC-T1-E3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™

ສິນຄ້າ:

12966325
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SI5402BDC-T1-E3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
4.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.3W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
1206-8 ChipFET™
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SMD, Flat Lead
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI5402

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SI5402BDCT1E3
SI5402BDC-T1-E3TR
SI5402BDC-T1-E3CT
SI5402BDC-T1-E3DKR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SIA413DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6

vishay-siliconix

SUM85N03-06P-E3

MOSFET N-CH 30V 85A TO263

vishay-siliconix

SIRA32DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHF12N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 12A TO220