ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI4876DY-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI4876DY-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 20 V 14A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
ສິນຄ້າ:
12965815
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI4876DY-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
14A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 21A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.6W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-SOIC
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI4876
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SI4186DY-T1-GE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
4214
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SI4186DY-T1-GE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.40
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SQJ431AEP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
SI3443CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
SIHF640S-GE3
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
