ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI4866DY-T1-E3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI4866DY-T1-E3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 12 V 11A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
ສິນຄ້າ:
5839 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12913595
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI4866DY-T1-E3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
11A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.6W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-SOIC
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI4866
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
SI4866DY-T1-E3TR
SI4866DYT1E3
SI4866DY-T1-E3DKR
SI4866DY-T1-E3CT
SI4866DY-T1-E3-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI7802DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK
SIA426DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
IRFU214PBF
MOSFET N-CH 250V 2.2A TO251AA
