SI4814BDY-T1-E3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SI4814BDY-T1-E3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SI4814BDY-T1-E3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET 2N-CH 30V 10A/10.5A 8SOIC
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 30V 10A, 10.5A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SOIC

ສິນຄ້າ:

12965834
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SI4814BDY-T1-E3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
LITTLE FOOT®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 N-Channel (Half Bridge)
ລັກສະນະ FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
10A, 10.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
ພະລັງ - Max
3.3W, 3.5W
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-SOIC
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI4814

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRF7904TRPBF
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
4573
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRF7904TRPBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.38
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SQJ910AEP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8

vishay-siliconix

SI7900AEDN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212

vishay-siliconix

SI5517DU-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

vishay-siliconix

SI1034CX-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89