ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI4561DY-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI4561DY-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 40V 6.8A, 7.2A 3W, 3.3W Surface Mount 8-SOIC
ສິນຄ້າ:
12912829
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI4561DY-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
N and P-Channel
ລັກສະນະ FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
6.8A, 7.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
640pF @ 20V
ພະລັງ - Max
3W, 3.3W
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-SOIC
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI4561
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
SI4561DYT1GE3
SI4561DY-T1-GE3DKR
SI4561DY-T1-GE3TR
SI4561DY-T1-GE3CT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
TPC8408,LQ(S
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Semiconductor and Storage
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
3530
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
TPC8408,LQ(S-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.17
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI3932DV-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6TSOP
SI4563DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC
SI1902CDL-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC70-6
