ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI4501BDY-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI4501BDY-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N/P-CH 30V/8V 12A 8SOIC
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 30V, 8V 12A, 8A 4.5W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC
ສິນຄ້າ:
12918148
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI4501BDY-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
N and P-Channel, Common Drain
ລັກສະນະ FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V, 8V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
12A, 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
805pF @ 15V
ພະລັງ - Max
4.5W, 3.1W
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-SOIC
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI4501
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
SI4501BDY-T1-GE3DKR
SI4501BDY-T1-GE3CT
SI4501BDY-T1-GE3TR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
DMC3021LSD-13
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
94854
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
DMC3021LSD-13-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.15
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI5944DU-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET
SI5908DC-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
SI4946BEY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
