ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI4463CDY-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI4463CDY-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 20 V 13.6A (Ta), 49A (Tc) 2.7W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
ສິນຄ້າ:
20170 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12915350
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI4463CDY-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
13.6A (Ta), 49A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
162 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4250 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.7W (Ta), 5W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-SOIC
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI4463
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
SI4463CDY-T1-GE3DKR
SI4463CDY-T1-GE3CT
SI4463CDY-T1-GE3TR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI4435BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 7A 8SO
IRFU420APBF
MOSFET N-CH 500V 3.3A TO251AA
BUK7Y10-30B,115
MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK56
