ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI4004DY-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI4004DY-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 20 V 12A (Tc) Surface Mount 8-SOIC
ສິນຄ້າ:
12915700
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI4004DY-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.8mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1280 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-SOIC
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI4004
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
SI4004DYT1GE3
SI4004DY-T1-GE3DKR
SI4004DY-T1-GE3CT
SI4004DY-T1-GE3TR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SI4178DY-T1-GE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2375
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SI4178DY-T1-GE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.18
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
RUS100N02TB
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
138
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
RUS100N02TB-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.28
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SI4136DY-T1-GE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1403
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SI4136DY-T1-GE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.55
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI5402DC-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
SUM110N04-2M3L-E3
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
BUK6607-55C,118
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK