SI3981DV-T1-E3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SI3981DV-T1-E3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SI3981DV-T1-E3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 20V 1.6A 800mW Surface Mount 6-TSOP

ສິນຄ້າ:

12913273
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SI3981DV-T1-E3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 P-Channel (Dual)
ລັກສະນະ FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
1.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
185mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
ພະລັງ - Max
800mW
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
6-TSOP
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI3981

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SI3981DV-T1-E3DKR
SI3981DV-T1-E3TR
SI3981DV-T1-E3CT
SI3981DVT1E3

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SI3993CDV-T1-GE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
50318
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SI3993CDV-T1-GE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.13
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FDC6306P
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
4981
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FDC6306P-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.16
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SI1557DH-T1-E3

MOSFET N/P-CH 12V 1.2A SC70-6

vishay-siliconix

SI7214DN-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 4.6A PPAK 1212

vishay-siliconix

SI1555DL-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V/8V SC70-6

vishay-siliconix

SI1965DH-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6