ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI3850ADV-T1-E3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI3850ADV-T1-E3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 20V 1.4A, 960mA 1.08W Surface Mount 6-TSOP
ສິນຄ້າ:
12917123
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI3850ADV-T1-E3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
N and P-Channel, Common Drain
ລັກສະນະ FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
1.4A, 960mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
ພະລັງ - Max
1.08W
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
6-TSOP
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI3850
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SI3850ADVT1E3
SI3850ADV-T1-E3TR
SI3850ADV-T1-E3CT
SI3850ADV-T1-E3DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SI3585CDV-T1-GE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
13694
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SI3585CDV-T1-GE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.14
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SIB912DK-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC75-6L
SQ3987EV-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
SQJQ910EL-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8
