SI3459DV-T1-E3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SI3459DV-T1-E3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SI3459DV-T1-E3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET P-CH 60V 2.2A 6TSOP
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 60 V 2.2A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount 6-TSOP

ສິນຄ້າ:

12912322
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SI3459DV-T1-E3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
6-TSOP
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI3459

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SI3459DV-T1-E3CT
SI3459DVT1E3
SI3459DV-T1-E3TR
SI3459DV-T1-E3DKR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SI3459BDV-T1-GE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
41538
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SI3459BDV-T1-GE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.24
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SI4487DY-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 11.6A 8SO

vishay-siliconix

IRFR9310TRLPBF

MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK

vishay-siliconix

SI2308BDS-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

vishay-siliconix

IRFR224TRPBF

MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK