ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI3446ADV-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI3446ADV-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 20 V 6A (Tc) 2W (Ta), 3.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
ສິນຄ້າ:
12917948
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI3446ADV-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
37mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
640 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2W (Ta), 3.2W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
6-TSOP
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI3446
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
ZXMN2B03E6TA
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2518
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
ZXMN2B03E6TA-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.24
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
RUQ050N02TR
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2985
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
RUQ050N02TR-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.31
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SIA400EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
SUP90140E-GE3
MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
SIS434DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8