SI2387DS-T1-GE3

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SI2387DS-T1-GE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SI2387DS-T1-GE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

P-Channel 80 V 2.1A (Ta), 3A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12959113

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

SI2387DS-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Vishay

ບັນທຶກ

Tape & Reel (TR)

ຊຸດ

TrenchFET® Gen IV

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

P-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

2.1A (Ta), 3A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

164mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.2 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

395 pF @ 40 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

1.3W (Ta), 2.5W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

SOT-23-3 (TO-236)

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

SI2387DS-T1-GE3-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

SI2387DS-T1-GE3

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

3,000

ຊື່ ອື່ນໆ

742-SI2387DS-T1-GE3CT

742-SI2387DS-T1-GE3TR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

infineon-technologies

IPTC012N08NM5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 40A/396A HDSOP

mdd

AO3400-5.8A

MOSFET SOT-23 N Channel 30V

vishay-siliconix

SI4090BDY-T1-GE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-

CP403-CZDM0605N-CT

MOSFET N-CH DIE