ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI2342DS-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI2342DS-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 8 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
ສິນຄ້າ:
12914341
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI2342DS-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
8 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 7.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1070 pF @ 4 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.5W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SOT-23-3 (TO-236)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI2342
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SI2342DS-T1-GE3-DG
SI2342DS-T1-GE3DKR
SI2342DS-T1-GE3CT
SI2342DS-T1-GE3TR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SI2342DS-T1-BE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2875
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SI2342DS-T1-BE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.13
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
DMN1019USN-7
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
6772
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
DMN1019USN-7-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.09
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRFR420PBF
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
IRFR1N60ATR
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
IXKR40N60C
MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
