ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI2335DS-T1-E3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI2335DS-T1-E3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 12 V 3.2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
ສິນຄ້າ:
12914626
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI2335DS-T1-E3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
51mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1225 pF @ 6 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
750mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SOT-23-3 (TO-236)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI2335
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SI2335DST1E3
SI2335DS-T1-E3DKR
SI2335DS-T1-E3CT
SI2335DS-T1-E3-DG
SI2335DS-T1-E3TR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SI2333DDS-T1-GE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
16839
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SI2333DDS-T1-GE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.10
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI8401DB-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.6A 4MICROFOOT
SI1056X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC89-6
IRFBE30STRR
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
