ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI2331DS-T1-E3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI2331DS-T1-E3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 12 V 3.2A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
ສິນຄ້າ:
12912348
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI2331DS-T1-E3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
48mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
780 pF @ 6 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
710mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SOT-23-3 (TO-236)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI2331
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
PMV65XP,215
ຜູ້ຜະລິດ
Nexperia USA Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
276273
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
PMV65XP,215-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.06
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
DMG3415UQ-7
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
3166
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
DMG3415UQ-7-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.11
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SI3415-TP
ຜູ້ຜະລິດ
Micro Commercial Co
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
20874
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SI3415-TP-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.08
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IXFK21N100Q
MOSFET N-CH 1000V 21A TO264AA
IRFR9024
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
IRF644S
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK