ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI1499DH-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI1499DH-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 8 V 1.6A (Tc) 2.5W (Ta), 2.78W (Tc) Surface Mount SC-70-6
ສິນຄ້າ:
1350 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12913209
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI1499DH-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
8 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
78mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
650 pF @ 4 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.5W (Ta), 2.78W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SC-70-6
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI1499
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SI1499DH-T1-GE3DKR
SI1499DH-T1-GE3CT
SI1499DH-T1-GE3TR
SI1499DHT1GE3
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SI1499DH-T1-BE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2800
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SI1499DH-T1-BE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.19
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SI1499DH-T1-E3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
9846
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SI1499DH-T1-E3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.20
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRFS9N60ATRLPBF
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
IXFX27N80Q
MOSFET N-CH 800V 27A PLUS247-3
IRFU320PBF
MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA
