ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI1470DH-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI1470DH-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 5.1A (Tc) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
ສິນຄ້າ:
12917226
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI1470DH-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
5.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
66mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
510 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SC-70-6
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI1470
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SI1470DH-T1-GE3DKR
SI1470DH-T1-GE3TR
SI1470DHT1GE3
SI1470DH-T1-GE3CT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI1021R-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
SI2307BDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
SIR808DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
