ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI1413EDH-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI1413EDH-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 20 V 2.3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-70-6
ສິນຄ້າ:
12918336
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI1413EDH-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
115mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 100µA (Min)
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SC-70-6
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI1413
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SI1413EDH-T1-GE3CT
SI1413EDH-T1-GE3TR
SI1413EDHT1GE3
SI1413EDH-T1-GE3DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
PMG85XP,115
ຜູ້ຜະລິດ
NXP USA Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1667747
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
PMG85XP,115-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.05
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
PMG85XPH
ຜູ້ຜະລິດ
Nexperia USA Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2340
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
PMG85XPH-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.05
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI5401DC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
SIRA04DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SI4384DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
