ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI1032X-T1-E3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI1032X-T1-E3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 20 V 200mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
ສິນຄ້າ:
12913809
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI1032X-T1-E3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.75 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±6V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
300mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SC-89-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SC-89, SOT-490
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI1032
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SI1032XT1E3
SI1032X-T1-E3TR
SI1032X-T1-E3CT
SI1032X-T1-E3DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SI1032X-T1-GE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
6434
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SI1032X-T1-GE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.11
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FDY301NZ
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
312
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FDY301NZ-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.15
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI1422DH-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
IRFZ48PBF
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
SI2338DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6A SOT23
