IRLD024

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IRLD024

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IRLD024-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 60 V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12911071

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IRLD024 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Vishay

ບັນທຶກ

-

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Obsolete

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

2.5A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 1.5A, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18 nC @ 5 V

Vgs (Max)

±10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

870 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

1.3W (Ta)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 175°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

4-HVMDIP

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

4-DIP (0.300", 7.62mm)

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

IRLD024

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

2,500

ຊື່ ອື່ນໆ

*IRLD024

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

RoHS non-compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ

IRLD024PBF

ຜູ້ຜະລິດ

Vishay Siliconix

ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ

1136

DiGi ບໍ່ຈໍານວນ

IRLD024PBF-DG

ລາຄາຕໍານອນ

0.78

ປ່ແທນປະເພດ

Direct

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

vishay-siliconix

IRFI510GPBF

MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220-3

vishay-siliconix

IRF7822TRL

MOSFET N-CH 30V 18A 8SO

vishay-siliconix

IRFP26N60L

MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3

vishay-siliconix

IRLZ34STRR

MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK