IRFIB5N65APBF

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IRFIB5N65APBF

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IRFIB5N65APBF-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 650 V 5.1A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3

ສິນຄ້າ:

927 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12909554

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IRFIB5N65APBF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Vishay

ບັນທຶກ

Tube

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

5.1A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

930mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1417 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

60W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-220-3

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

IRFIB5

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

IRFIB5N65A, SiHFIB5N65A

ບັນທຶກ HTML

IRFIB5N65APBF-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

50

ຊື່ ອື່ນໆ

*IRFIB5N65APBF

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

littelfuse

IXFP34N65X2

MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB

vishay-siliconix

IRFR310TRL

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

vishay-siliconix

IRFIBE30GPBF

MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3

littelfuse

IXFP56N30X3M

MOSFET N-CH 300V 56A TO220