IRFBF20LPBF

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IRFBF20LPBF

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IRFBF20LPBF-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 900V 1.7A I2PAK

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) Through Hole I2PAK

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12906291

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IRFBF20LPBF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Vishay

ບັນທຶກ

Tube

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

1.7A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

490 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

3.1W (Ta), 54W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

I2PAK

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

IRFBF20

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

IRFBF20S,L, SiHFBF20S,L

ບັນທຶກ HTML

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

1,000

ຊື່ ອື່ນໆ

*IRFBF20LPBF

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

diodes

ZXMN6A09GTA

MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223

diodes

ZVP3306FTC

MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3

vishay-siliconix

2N7002E-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3

vishay-siliconix

IRF644SPBF

MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK