ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IRFBE30SPBF
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IRFBE30SPBF-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
ສິນຄ້າ:
12885736
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IRFBE30SPBF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
125W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-263 (D2PAK)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IRFBE30
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
*IRFBE30SPBF
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STB7NK80ZT4
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
4410
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STB7NK80ZT4-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.21
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRF540NSTRLPBF
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
7309
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRF540NSTRLPBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.52
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FQB4N80TM
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
720
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FQB4N80TM-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.90
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRCZ44PBF
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-5
IRFBC40LCSTRL
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
IRFB16N60LPBF
MOSFET N-CH 600V 16A TO220AB
