IRFBC30APBF

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IRFBC30APBF

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IRFBC30APBF-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB

ສິນຄ້າ:

1483 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12867869

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IRFBC30APBF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Vishay

ບັນທຶກ

Tube

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

3.6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

510 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

74W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-220AB

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-220-3

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

IRFBC30

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ບັນທຶກ HTML

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ໃບຂໍ້ມູນ

IRFBC30A, SiHFBC30A Packaging Information

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

50

ຊື່ ອື່ນໆ

*IRFBC30APBF

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Affected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

micro-commercial-components

SI3420A-TP

MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

vishay-siliconix

IRF740S

MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK

nxp-semiconductors

BUK7C3R8-80EJ

MOSFET N-CH 80V 186A D2PAK-7

vishay-siliconix

IRF9Z30PBF

MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB