IRF614

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IRF614

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IRF614-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 250V 2.7A TO220AB

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 250 V 2.7A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220AB

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12885835

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IRF614 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Vishay

ບັນທຶກ

-

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Obsolete

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

2.7A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1.6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.2 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

140 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

36W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-220AB

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-220-3

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

IRF614

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ບັນທຶກ HTML

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ໃບຂໍ້ມູນ

IRF614 Packaging Information

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

1,000

ຊື່ ອື່ນໆ

*IRF614

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

RoHS non-compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ

IRF614PBF

ຜູ້ຜະລິດ

Vishay Siliconix

ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ

0

DiGi ບໍ່ຈໍານວນ

IRF614PBF-DG

ລາຄາຕໍານອນ

0.62

ປ່ແທນປະເພດ

Direct

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

vishay-siliconix

IRFD9120

MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP

vishay-siliconix

IRF830S

MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

vishay-siliconix

IRF640STRRPBF

MOSFET N-CH 200V 18A TO263

vishay-siliconix

IRFDC20

MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP