ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
3N163-E3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
3N163-E3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 40V 50MA TO72
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 40 V 50mA (Ta) 375mW (Ta) Through Hole TO-72
ສິນຄ້າ:
12912099
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
3N163-E3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
50mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250Ohm @ 100µA, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 10µA
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3.5 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
375mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-72
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
3N163
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
200
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
BS250P
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
BS250P-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.30
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
3N163 TO-72 4L ROHS
ຜູ້ຜະລິດ
Linear Integrated Systems, Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1118
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
3N163 TO-72 4L ROHS-DG
ລາຄາຕໍານອນ
4.21
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRFU9010
MOSFET P-CH 50V 5.3A TO251AA
IRL640SPBF
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
IXFN80N50
MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
