ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
TPH3202PD
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Transphorm
ເລະທີ່ສ່ວນ:
TPH3202PD-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220AB
ສິນຄ້າ:
13446567
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
yMss
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
TPH3202PD ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Transphorm
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 5.5A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
760 pF @ 480 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
65W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220AB
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STP15N60M2-EP
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
334
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STP15N60M2-EP-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.76
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
TK10E60W,S1VX
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Semiconductor and Storage
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
30
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
TK10E60W,S1VX-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.31
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
TPH3206LDB
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
TPH3208LSG
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
TP65H070LSG
GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN