TP65H035G4QS
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

TP65H035G4QS

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Transphorm

ເລະທີ່ສ່ວນ:

TP65H035G4QS-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 650 V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount TOLL

ສິນຄ້າ:

13259168
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

TP65H035G4QS ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Transphorm
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
SuperGaN®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
46.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 400 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
156W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TOLL
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerSFN

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,000
ຊື່ ອື່ນໆ
1707-TP65H035G4QSDKR
TP65H035G4QS-TR
1707-TP65H035G4QSCT
1707-TP65H035G4QSTR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
3 (168 Hours)
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
goford-semiconductor

GT1K2P15K

MOSFET P-CH 150V 27A TO-252

transphorm

TP65H050G4YS

650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE

goford-semiconductor

GC030N65QF

MOSFET N-CH 650V 80A TO-247

goford-semiconductor

GC20N65QD

MOSFET N-CH 650V 20A TO-247