ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
TW045N120C,S1F
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
TW045N120C,S1F-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1200 V 40A (Tc) 182W (Tc) Through Hole TO-247
ສິນຄ້າ:
10 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12987646
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
TW045N120C,S1F ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
59mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 6.7mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1969 pF @ 800 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
182W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
175°C
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-247
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ຊື່ ອື່ນໆ
TW045N120C,S1F(S
264-TW045N120CS1F
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
DMT15H017SK3-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
MCAC50N06Y-TP
MCAC50N06Y-TP
G15N06K
MOSFET N-CH 60V 15A TO-252