TTC011B,Q
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

TTC011B,Q

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Toshiba Semiconductor and Storage

ເລະທີ່ສ່ວນ:

TTC011B,Q-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

PB-FPOWERTRANSISTORTO-126NPC=10W
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 1 A 100MHz 1.5 W Through Hole TO-126N

ສິນຄ້າ:

180 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12988794
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

TTC011B,Q ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tray
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
NPN
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
230 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 50mA, 500mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
ພະລັງ - Max
1.5 W
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
100MHz
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-225AA, TO-126-3
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-126N

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
TTC011B

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
250
ຊື່ ອື່ນໆ
264-TTC011B,Q
264-TTC011BQ
264-TTC011B,Q-DG

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
hy-electronic-cayman

MMBT2222A

SMALL SIGNAL TRANSISTOR

micro-commercial-components

MMS9014HE3-L-TP

NPN TRANSISTORS, SOT-23

micro-commercial-components

BC847CHE3-TP

NPN TRANSISTORS, SOT-23

micro-commercial-components

BC807-16HE3-TP

PNP TRANSISTORS, SOT-23