ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
TPW5200FNH,L1Q
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
TPW5200FNH,L1Q-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 250 V 26A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
ສິນຄ້າ:
4822 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12989816
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
TPW5200FNH,L1Q ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
U-MOSVIII-H
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
26A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2200 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
800mW (Ta), 142W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-DSOP Advance
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerWDFN
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
264-TPW5200FNH,L1QDKR
264-TPW5200FNHL1QTR-DG
264-TPW5200FNH,L1QCT
264-TPW5200FNHL1QTR
264-TPW5200FNH,L1QTR
264-TPW5200FNH,L1QTR-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
NTMFS006N12MCT1G
POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN
SIHFPS40N50L-GE3
POWER MOSFET SUPER-247, 100 M @
TK19A50W,S5X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
