ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
TPN7R006PL,L1Q
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
TPN7R006PL,L1Q-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 54A (Tc) 630mW (Ta), 75W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
ສິນຄ້າ:
5682 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12920955
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
TPN7R006PL,L1Q ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
U-MOSIX-H
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
54A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 200µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1875 pF @ 30 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
630mW (Ta), 75W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
175°C
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-TSON Advance (3.1x3.1)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerVDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
TPN7R006
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
264-TPN7R006PLL1QCT
264-TPN7R006PLL1QTR
TPN7R006PL,L1Q(M
264-TPN7R006PLL1QDKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
TPN2R903PL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
TPN7R504PL,LQ
MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON
TPWR6003PL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
