ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
TPN4R303NL,L1Q
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
TPN4R303NL,L1Q-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 40A (Tc) 700mW (Ta), 34W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
ສິນຄ້າ:
4115 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12890048
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
v0fn
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
TPN4R303NL,L1Q ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
U-MOSVIII-H
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 200µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
700mW (Ta), 34W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-TSON Advance (3.1x3.1)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerVDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
TPN4R303
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
264-TPN4R303NL,L1QDKR
TPN4R303NL,L1Q(M
TPN4R303NLL1QCT
264-TPN4R303NL,L1QTR
TPN4R303NLL1QTR
TPN4R303NLL1QDKR
TPN4R303NLL1QTR-DG
264-TPN4R303NL,L1QCT
TPN4R303NLL1QDKR-DG
TPN4R303NLL1QCT-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
2SK3670(T6CANO,F,M
MOSFET N-CH TO92MOD
TK6A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
2SJ438(AISIN,A,Q)
MOSFET P-CH TO220NIS