ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
TPN2R703NL,L1Q
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
TPN2R703NL,L1Q-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 45A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
ສິນຄ້າ:
4830 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12890605
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
litP
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
TPN2R703NL,L1Q ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
U-MOSVIII-H
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 300µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2100 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
700mW (Ta), 42W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-TSON Advance (3.1x3.1)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerVDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
TPN2R703
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
TPN2R703NL,L1QDKR-DG
TPN2R703NL,L1Q(M
TPN2R703NLL1QDKR
TPN2R703NL,L1QDKR
TPN2R703NLL1QCT
TPN2R703NL,L1QTR-DG
TPN2R703NLL1QTR
TPN2R703NL,L1QCT-DG
TPN2R703NL,L1QCT
TPN2R703NL,L1QTR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
AON6360
ຜູ້ຜະລິດ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
6000
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
AON6360-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.23
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
TK3A60DA(Q,M)
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
TK100L60W,VQ
MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
TK10A60W5,S5VX
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
