ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
TPN2R304PL,L1Q
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
TPN2R304PL,L1Q-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
ສິນຄ້າ:
39427 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12890290
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
TPN2R304PL,L1Q ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
U-MOSIX-H
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 300µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3600 pF @ 20 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
630mW (Ta), 104W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
175°C
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-TSON Advance (3.1x3.1)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerVDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
TPN2R304
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
TPN2R304PLL1QTR
TPN2R304PLL1QCT
TPN2R304PL,L1Q(M
TPN2R304PLL1QDKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
TPC8036-H(TE12L,QM
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
TPCF8B01(TE85L,F,M
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
TPCA8A04-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 30V 44A 8SOP
