TPH2R408QM,L1Q

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

TPH2R408QM,L1Q

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Toshiba Semiconductor and Storage

ເລະທີ່ສ່ວນ:

TPH2R408QM,L1Q-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 80 V 120A (Tc) 3W (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)

ສິນຄ້າ:

12765 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12928432

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

TPH2R408QM,L1Q ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

ບັນທຶກ

Tape & Reel (TR)

ຊຸດ

U-MOSX-H

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

120A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.43mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

87 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

8300 pF @ 40 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

3W (Ta), 210W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

175°C

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

8-SOP Advance (5x5)

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

8-PowerVDFN

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

TPH2R408

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

TPH2R408QM,L1Q-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

5,000

ຊື່ ອື່ນໆ

264-TPH2R408QML1QTR

264-TPH2R408QML1QCT

TPH2R408QM,L1Q(M

264-TPH2R408QML1QDKR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

JAN2N6849U

MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC

JANTXV2N6760

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO204AA

onsemi

NVB6412ANT4G

MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK-3

panasonic

2SK3547G0L

MOSFET N-CH 50V 100MA SSSMINI3