ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
TPCC8105,L1Q(CM
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
TPCC8105,L1Q(CM-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 30 V 23A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
ສິນຄ້າ:
12942880
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
TPCC8105,L1Q(CM ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
U-MOSVI
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
23A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 500µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3240 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
700mW (Ta), 30W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-TSON Advance (3.3x3.3)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-VDFN Exposed Pad
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
TPCC8105
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
264-TPCC8105L1Q(CMTR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
TPCC8105,L1Q
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Semiconductor and Storage
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
5000
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
TPCC8105,L1Q-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.24
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRFH8316TRPBF-IR
IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET
FCH041N65F
N-CHANNEL, MOSFET
IRLU3802PBF
HEXFET POWER MOSFET
