ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
TK62N60W,S1VF
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
TK62N60W,S1VF-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-247
ສິນຄ້າ:
12890640
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
TK62N60W,S1VF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
DTMOSIV
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
61.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 30.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 3.1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6500 pF @ 300 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
400W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-247
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
TK62N60
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ຊື່ ອື່ນໆ
TK62N60W,S1VF(S
TK62N60WS1VF
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
APT77N60BC6
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
3
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
APT77N60BC6-DG
ລາຄາຕໍານອນ
10.10
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXKH70N60C5
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
301
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXKH70N60C5-DG
ລາຄາຕໍານອນ
14.49
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
TPCA8064-H,LQ(CM
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP
TK9J90E,S1E
MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
TK9A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 9.3A TO220SIS
