ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
TK5Q60W,S1VQ
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
TK5Q60W,S1VQ-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 5.4A (Ta) 60W (Tc) Through Hole I-Pak
ສິນຄ້າ:
75 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12890678
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
TK5Q60W,S1VQ ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
DTMOSIV
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
5.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 270µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
380 pF @ 300 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
60W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
I-PAK
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-251-3 Stub Leads, IPak
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
TK5Q60
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
75
ຊື່ ອື່ນໆ
TK5Q60WS1VQ
TK5Q60W,S1VQ(S
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
TK10A60E,S5X
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
TPH6R004PL,LQ
MOSFET N-CH 40V 87A/49A 8SOP
TK11A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS
