TK55S10N1,LXHQ

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

TK55S10N1,LXHQ

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Toshiba Semiconductor and Storage

ເລະທີ່ສ່ວນ:

TK55S10N1,LXHQ-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 100V 55A DPAK

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 100 V 55A (Ta) 157W (Tc) Surface Mount DPAK+

ສິນຄ້າ:

9924 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12939656

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

TK55S10N1,LXHQ ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

ບັນທຶກ

Tape & Reel (TR)

ຊຸດ

U-MOSVIII-H

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

55A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 500µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

49 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3280 pF @ 10 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

157W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

175°C

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

DPAK+

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

TK55S10

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

TK55S10N1,LXHQ-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

2,000

ຊື່ ອື່ນໆ

264-TK55S10N1LXHQCT

264-TK55S10N1LXHQTR

264-TK55S10N1LXHQDKR

TK55S10N1,LXHQ(O

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

microchip-technology

APT1003RSFLLG/TR

MOSFET N-CH 1KV 4A D3PAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TK65S04N1L,LXHQ

MOSFET N-CH 40V 65A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TJ10S04M3L,LXHQ

MOSFET P-CH 40V 10A DPAK

UPA2630T1R-E2-AX

MOSFET P-CH 12V 7A 6HUSON