ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
TK4A55D(STA4,Q,M)
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
TK4A55D(STA4,Q,M)-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 550V 4A TO220SIS
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 550 V 4A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
ສິນຄ້າ:
12890698
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
TK4A55D(STA4,Q,M) ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
π-MOSVII
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
550 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.88Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
490 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
35W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220SIS
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3 Full Pack
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
TK4A55
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
TK4A55D(STA4QM)
TK4A55DSTA4QM
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FQPF7N60
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
21
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FQPF7N60-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.17
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STP4N52K3
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2208
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STP4N52K3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.49
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FDPF5N50UT
ຜູ້ຜະລິດ
Fairchild Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
20640
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FDPF5N50UT-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.58
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
TPCA8055-H,LQ(M
MOSFET N-CH 30V 56A 8SOP
TPH4R10ANL,L1Q
MOSFET N-CH 100V 92A/70A 8SOP
TPH2R306NH,L1Q
MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
