ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
TK40E10K3,S1X(S
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
TK40E10K3,S1X(S-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 100V 40A TO220-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 100 V 40A (Ta) Through Hole TO-220-3
ສິນຄ້າ:
12949760
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
TK40E10K3,S1X(S ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
U-MOSIV
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4000 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
TK40E10
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
TK40E10K3S1XS
TK40E10K3S1X(S
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
TK22E10N1,S1X
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Semiconductor and Storage
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
11
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
TK22E10N1,S1X-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.51
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
DMNH6012LK3-13
MOSFET N-CH 60V 60A TO252
DMN5L06KQ-7
MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
TK5A55D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 5A TO220SIS
