ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
TK31N60W,S1VF
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
TK31N60W,S1VF-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247
ສິນຄ້າ:
12889718
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
TK31N60W,S1VF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
DTMOSIV
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
88mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 1.5mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 300 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
230W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-247
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
TK31N60
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ຊື່ ອື່ນໆ
TK31N60WS1VF
TK31N60W,S1VF(S
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXKH47N60C
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
141
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXKH47N60C-DG
ລາຄາຕໍານອນ
14.94
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SSM3K44FS,LF
MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
TK17E65W,S1X
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220
TK50E06K3A,S1X(S
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
